霍尔传感器基于磁平衡式霍尔原理，根据霍尔效应原理，从霍尔元件的电流端通入电流Ic，并在霍尔元件平面的法线方向上施加磁场强度为B的磁场，那么在垂直于电流和磁场方向(即霍尔输出端之间)，将产生个电势VH，称其为霍尔电势，其大小正比于电流I。与磁场强度B的乘积。即有式中:K为霍尔系数，由霍尔元件的材料决定;I。为电流;B为磁场强度;VH为霍尔电势。
　　
　　霍尔传感器基本原理
　　
　　霍尔传感器件是种采用半导体材料制成的磁电转换器件。如果在输入端通入电流IC，当有磁场B穿过该器件感磁面，则在输出端出现霍尔电势VH。
　　
　　霍尔电势VH的大小与电流IC和磁通密度B的乘积成正比，即:VH=KHICBsinΘ
　　
　　霍尔传感器是按照安培定律原理做成，即在载流导体周围产生正比于该电流的磁场，而霍尔器件则用来测量这磁场。因此，使电流的非接触测量成为可能。
　　
　　通过测量霍尔电势的大小间接测量载流导体电流的大小。因此，电流传感器经过了电-磁-电的绝缘转换。
　　
　　霍尔传感器原理
　　
　　由于磁路与霍尔器件的输出具有良好的线关系，因此霍尔器件输出的电压讯号U0可以间接反映出被测电流I1的大小，即:I1∝B1∝U0
　　
　　我们把U0定标为当被测电流I1为额定值时，U0等于50mV或100mV。这就制成霍尔直接(无放大)电流传感器。
　　
　　霍尔传感器补偿原理
　　
　　原边主回路有被测电流I1，将产生磁通Φ1，被副边补偿线圈通过的电流I2所产生的磁通Φ2进行补偿后保持磁平衡状态，霍尔器件则始终处于零磁通的作用。所以称为霍尔磁补偿电流传感器。这种的原理模式优于直检原理模式，突出的优点是响应时间快和测量，特别适用于弱小电流的。
　　
　　知道:Φ1=Φ2
　　
　　I1N1=I2N2
　　
　　I2=NI/N2·I1